IGBT 중주파 유도로의 비교 우위: 사이리스터 병렬 공진 중주파 유도로 및 사이리스터 직렬 공진 중주파 유도로와 비교할 때 보호가 용이하고 안정적이며 신뢰할 수 있으며 에너지를 10-15% 절약하고 용융 속도를 15-20% 증가시킵니다.
- IGBT 인버터 회로에는 브릿지 암 인덕턴스가 없으며, IGBT의 인버터 전력은 모두 전달됩니다.
센서로 전송되어 공진 회로의 효율성이 크게 향상됩니다.
사이리스터 직렬 공진 회로 IGBT 직렬 공진 회로
1) IGBT는 회로가 직접 연결될 때 회로 자체를 차단할 수 있는 자체 턴 오프 구성 요소입니다. 단락 보호는 쉽고 신뢰할 수 있습니다.
2) 정류부는 KP정류기 사이리스터 대신 정류용 다이오드 6개를 채택하여 전력 소모량을 0.5% 절감합니다.
3) 전력망 내 IGBT 중간주파 유도로의 역률은 0.96 이상으로 높다.
2. IGBT 중주파 유도로의 전체 용해 사이클 동안 IGBT는 TOT 턴오프 시간의 조건 한계가 없기 때문에 용광로 인덕터는 미리 최대 전력 출력을 얻을 수 있으므로 용해 시간을 약 5% 단축할 수 있습니다.
3. IGBT 전기 회로에는 브리지 암 인덕턴스가 없으므로 인덕터에서 전류 정류가 발생하지 않습니다.
피부 니들링. 센서 양쪽 끝의 전압이 높지만 센서의 턴이 끊어지고 점화되기 쉽지 않습니다.
퍼니스 라이닝의 수명도 비교적 연장됩니다.
4. 수냉식 사이리스터 라디에이터와 수냉식 DC 필터로 인한 사이리스터 공진을 위한 장비
파동 커패시터는 충전되어 있으며 냉각수 노즐이 썩는 상황이 종종 있습니다. IGBT의 수냉 라디에이터는 충전되지 않으며 DC 필터 커패시터는 수냉이 필요하지 않으므로 물 전기 분해 효과가 없으며 냉각수 요구 사항이 크게 줄어듭니다.
5. 전기로 작동 중, 로 관통, 단락, 수도 케이블 소손 등의 상황에 관계없이 장비는 안전하고 건전합니다. 고장률은 사이리스터 회로보다 훨씬 낮습니다.
